多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

用等离子体化学气相沉积(PECVD)法，通过改变[SiH ： 】／[NH，】的流量比沉积SiN薄膜．用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、x射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱，测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si／N、氢含量、反射率．研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能，结果发现：沉积温度350℃，沉积时间5 min，[si}L： 】／[NH 】=4：l时，沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低、