当前位置: 首页 » 图书馆 » 技术资料 » 多晶技术 »

多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

PDF文档
  • 文件类型:PDF文档
  • 文件大小:751.79K
  • 更新日期:2012-11-13
  • 浏览次数:9690   下载次数:46
进入下载
详细介绍
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了, 材料,卢瑟福背散射K 沟道谱)L1, K M* 和扩展电阻) ,NL* 的结果表明获得的,-. 材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明N 型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的OP K O’-’ 溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。
 
[ 图书馆搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]

下载地址












0条 [查看全部]  相关评论
 
推荐图书馆
本类下载排行
总下载排行
投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2023 索比光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600