PECVD 法氮化硅薄膜的研究

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更新日期：2012-03-14
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详细介绍

本文采用射频等离子体增强化学气相生长法(PECVD) , 在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜, 经X 射线衍射测试发现, 在(100) 晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为(101) 晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和X 射线光电子能谱测试了B2Si3N 4的特性, 讨论了它在微电子学中的应用。

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