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金属卤化物钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)在新一代照明和显示领域极具应用前景。目前，绿光和红光钙钛矿QLEDs的外量子效率(EQE)已经超过26%，但是蓝光钙钛矿QLEDs的性能远落后于绿光和红光钙钛矿QLEDs。蓝光钙钛矿QLEDs器件性能不佳的主要原因在于：①蓝光钙钛矿QDs表面未配位Pb形成的缺陷会带来严重的非辐射复合，阻碍了器件高效率的实现;②蓝光钙钛矿QDs深的价带会在QDs和空穴传输层(HTLs)之间形成大的空穴注入势垒，导致QDs层中载流子注入不平衡，进而降低QLEDs的效率。因此，为了
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