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异质结 HJT ( Hereto- junctionwith Intrinsic Thin-layer )电池(同时也简称 HIT ,SH1J, SJT等),H1JT电池的结构如图所示。以 N 型单晶硅( C-Si)为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶
近日,中国科学院沈阳自动化研究所信息服务与智能控制技术研究室3D电子打印技术与装备课题组,采用喷墨印刷技术成功制造出高高宽
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2025-07-09