3英寸单晶硅片

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 项目

扩散单晶硅片

 生长方式

CZ

 导电类型

N

 掺杂剂

磷P

 晶向

<111> 

 电阻率（Ω.cm）

5-80

 电阻率径向不均匀性

≤25% 

直径（mm） 

76.2+0.3

76.2-0.3

 少子寿命（цs）

≥100 

 氧含量（atoms/cm³）

≤1×10¹⁸   

 碳含量（atoms/cm³）

≤5×10¹⁶

 位错密度（сm^–2）

 ≤100

 硅片形态

扩散片  

 硅片厚度（цm）

200-340

 厚度公差（цm）

 ±5

 总厚度偏差（цm）

 ≤10

 弯曲度（цm）

 ≤30

 表面质量

 无孔洞、无裂纹、色泽均匀 
无氧化花纹及用户其他要求