当前位置: 首页 » 图书馆 » 技术资料 » 多晶技术 »

非晶硅(a-Si TFT)与低温多晶硅(LTPS TFT)的区别

压缩文件
  • 文件类型:压缩文件
  • 文件大小:89K
  • 更新日期:2012-04-20
  • 浏览次数:380   下载次数:0
进入下载
详细介绍
低温多晶硅LTPSLow Temperature Ploy Silicon的缩写,一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度,尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。与a-Si相比,LTPS的电子移动速度要比a-Si100倍,这个特点可以解释两个问题:首先,每个LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反应速度快;其次,LTPS PANEL 外观尺寸都比a-Si PANEL小。
 
[ 图书馆搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]

下载地址












0条 [查看全部]  相关评论
 
推荐图书馆
本类下载排行
总下载排行
投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2023 索比光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600