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多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

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用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4∶N2] / [NH3] 的流量比沉积SiN 薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X 射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350 ℃,沉积时间5 min,[SiH4∶N2] / [NH3] = 4∶1 时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低.
 
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