当前位置: 首页 » 图书馆 » 技术资料 » 单晶技术 »

直拉硅中氧化诱生层错研究进展

PDF文档
  • 文件类型:PDF文档
  • 文件大小:203.87K
  • 更新日期:2012-03-08
  • 浏览次数:197   下载次数:0
进入下载
详细介绍
硅中的载化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对徽电子器件产生重大影响,为提高硅片质
I.要求对OSF有充分了解。综述了我化诱生层错的研究进展,漪重讨论了OSF的形成动力学、形响因素和检咧方法.并指出:OSF是一种由点块M行为决足的工艺诱生缺陷。
 
[ 图书馆搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]

下载地址












 
推荐图书馆
本类下载排行
总下载排行
投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2023 索比光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600