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PECVD淀积SiO_2的应用

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研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2 薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2 隔热掩模。
 
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