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PECVD 法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

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对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级薄膜组成的MIS 结构样品,通过美国HP 系列设备测试I-V 特性、准静态及高频C-V 特性。分析了薄膜I-V 特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;
给出了击穿等电性优良的PECVD形成薄介质膜的优化工艺条件。
 
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