供应多晶硅片

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156多晶硅片参数
Growth Method
制备方法 DSS
Conductive Type
导电类型 P
Dopant
掺杂剂 B
Resistivity
电阻率范围 1.0 -3.0Ω•cm
Minority Carrier Lifetime
少数载流子寿命 ≥2μs
Oxygen Content
氧含量 ≤5*1017 /cm3
Carbon Content
碳含量 ≤8*1017/cm3
Dimension
硅片尺寸 156*156±0.5mm
Right angle
直角度 90° ±0.3°
Chamfer angle
斜角度 45° ± 2°
Thickness
厚度 200±20 μm
TTV
总厚度变化 ≤30μm
Saw Marks
线痕 ≤20μm
Bow/Warp
翘曲 ≤50μm
Edge Chips
边缘崩边 Depth<0.3mm;Length<0.5mm
Micro Cracks
裂纹 Not Allowed
Appearance
表面 No Stain, No Edge Breakage, No Chips
156单晶硅片参数
尺寸 156×156mm± 0.5mm
极性 P型
厚度 220±20um
电阻率 1.0-3.0 ohm.cm
氧含量 ≤1.0×1018atoms/cm3
碳含量 ≤5.0×1018atoms/cm3
少子寿命 ≥10us
位错 ≤3000／cm2
总厚度变化 ≤50um
线痕 ≤30um
边缘崩边 深＜0.5mm，长＜1.5mm，数量＜2
表面 无污点，穿孔，崩边，隐裂等