供应HS-L1少子寿命分析仪

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测试范围: 硅材料测试（包括多晶硅料、硅锭、硅棒、硅块、硅片和扩散形成P-N后的太阳电池等）
少子寿命: 1um-1ms
电阻率测试范围：≥0.1Ωcm
测试速度：0.1second/point
测试不重复度：≤5%
电源要求:200VAC±10%,20A,50Hz 单相
机械参数: 微波源:深 465mm 宽 230mm 高 470mm; 激光电源: 深 550mm 宽 430mm 高 175mm; 工控机: 深 500mm 宽 400mm 高 170mm

HS-L1拥有国家发明专利拥有国家发明专利拥有国家发明专利(专利号: ZL 20031110108310.7).采用微波反射光电导衰退发准确分析测量半导体硅材料的少子寿命，实现对于材料的质量合格检测，并对太阳能电池生产工艺进行有效的在线监测。导体硅材料的少子寿命，实现对于材料的质量合格检测，并对太阳能电池生产工艺进行有效的在线监测。导体硅材料的少子寿命，实现对于材料的质量合格检测，并对太阳能电池生产工艺进行有效的在线监测。