当前位置: 首页 » 图书馆 » 技术资料 » 组件技术 »

高阻真空区熔硅单晶的生长

压缩文件
  • 文件类型:压缩文件
  • 文件大小:6.6K
  • 更新日期:2012-04-20
  • 浏览次数:94   下载次数:1
进入下载
详细介绍
 高质量的高纯硅单晶是制做各种辐射探测器和光电探测器的重要材料。在真空环境下提纯并生长硅单晶可以使材料达到并保持更高的纯度,因而高阻真空区熔硅单晶是研制某些高灵敏度探测器的必选材料,主要有电阻率(3~5)×103Ω·cm和(1~2)×104Ω·cm两种规格,可分别用于研制雪崩光电二极管和PIN管型的光电探测器件。由于晶体生长条件的改变,在真空中生长区熔硅单晶要比在氩气气氛下生长单晶困难许多,单晶在生长过程中极易断棱,直径也很难做大。目前这种材料在国内只有少量样品提供,器件厂家不得不依靠进口来满足其需要,价格十分昂贵。
 
[ 图书馆搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]

下载地址












0条 [查看全部]  相关评论
 
推荐图书馆
本类下载排行
总下载排行
投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2023 索比光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600