降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺

文件类型：PDF文档
文件大小：494.07K

更新日期：2012-03-14
浏览次数：94 下载次数：0

详细介绍

利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析. 结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2 的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH- 对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC21 清洗过程中N H4OH 浓度的增大而减小.

[ 图书馆搜索 ] [ 加入收藏 ] [ 告诉好友 ] [ 打印本文 ] [ 违规举报 ] [ 关闭窗口 ]

下载地址

共0条 [查看全部] 相关评论

更多»相关图书馆

推荐图书馆

本类下载排行

总下载排行

投稿与新闻线索联系：010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系：010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉：13811582057, 13811958157
京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证：京ICP证120154号
地址：北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层邮编：102600