游达，中国科学院微电子专业博士研究生毕业，现任江苏协鑫硅材料科技发展有限公司总工程师，具备丰富的半导体行业和光伏行业工作经验，精通半导体器件物理建模及器件的失效分析。

2011年~2013年太阳能级高效多晶“鑫多晶S1、S2、S3”项目，高效多晶光电转化效率18.20%；2012年开始进行铸锭准单晶 “鑫单晶G1、G2”项目，“鑫单晶G2”一类片等级占比30%以上，光电转化效率＞19.80% ；2013年开始进行N型准单晶项目的研发及产业化，现光电转化效率达19.50%以上。作为项目负责人主持“高性能低成本N型光伏准单晶硅锭、硅片先进制备技术开发与产业化”，获江苏省重大科技成果专项资金支持；2013年08月，获得江苏省“双创人才”计划；2014年带领团队研发太阳能级高效